Материалы сайта
Это интересно
Разработка сенсоров поглощаемой мощности
4. ФИЗИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СЕНСОРОВ ПОГЛОЩАЕМОЙ МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИ Й 4.1. Макетирование КТС Макетирование КТС проводилось на основе схемы замещения, представленной на рис. 2.3. В качестве биполярного транзистора VT1 был подобран, путем измерения основных параметров, дискретный транзистор КТ 315 Е, характеристики которого соответствуют данным, приведенным в табл. 2.3. В качестве МОП-транзистора VT2 был выбран интегральный р-канальный МОП- транзистор, входящий в состав ИС серии К 176. Не используя вскрытие корпуса и выделение искомого транзистора на кристалле ИМС, можно применить для этой цели элемент ИС К176ЛП1 [1], заключенный между выводами : 5 - сток; 4 - исток; 3 - затвор; 7 - подложка. Такая замена возможна в том случае, если все остальные внешние выводы микросхемы останутся незадействованы. Рис. 4.1. Схема установки для измерения параметров КТС Схема установки для измерения статических параметров исследуемой КТС приведена на рис. 4.1., а внешний вид макета и фотографии измерительного стенда - на рис. 4.2. Измерения проводились по три раза в каждой точке ВАХ: для выходных характеристик при IБ =5 мкА, 10 мкА, 40 мкА; передаточных - при UКЭ =0.8 В. Затем проводилась статистическая обработка результатов измерений с использованием программы статистической обработки данных STATISTIKA 2.2. Результаты обработки и полученные зависимости приведены на рис. 4.4 - 4.6. [pic] Как видно из результатов статистической обработки, максимальное значение среднеквадратичной ошибки не превышает 1.53(10-4 А2, а все полученные величины не выходят за пределы 95 % - интервала надежности. 4. Макетирование сенсоров поглощаемой мощности ИК-излучения [pic] а) б) Рис. 4.4. Схема макета СПМИ со входом : а) базой; б) затвором. [pic] В основе макета СПМИ лежит макет КТС, рассмотренный в п.4.1. Т. к., в зависимости от конструктивного исполнения, ЧЭ и УЭ СПМИ представляют собой или генератор тока или генератор напряжения, то и в макете использовались соответствующие эквиваленты этих частей сенсора. Варианты схем макетов приведены на рис. 4.4. В зависимости от режима работы СПМИ в макете использовались два типа генераторов: - генераторы постоянного тока (напряжения) имитирующие регистрацию модулированного ИК (СВЧ) излучения; - генераторы сигналов специальной формы имитирующие регистрацию излучения с постоянной интенсивностью и частотой. В качестве прибора, регистрирующего изменение выходного тока КТС, применялся осцилограф. При макетировании не анализировался режим модуляции входного сигнала КТС внешними измерительными импульсами, а исследовалась непосредственная регистрация изменения выходного тока. Для изучения режима измерения излучения с постоянной интенсивностью использовались импульсы пилообразного напряжения от генератора сигналов специальной формы, работающим в ждущем режиме, а изменение выходного тока КТС регистрировалось электронным осцилографом с памятью. В схемах макетов, приведенных на рис. 4.4., конденсатор С1 предназначен для учета собственной емкости подсистемы СПМИ ( поглотитель - пироэлектрик (. Величина емкости С1 определяется материалом пироэлектрика, используемого в СПМИ. ----------------------- E2 pA1 pV1 A V VT2 VT1 pA2 pV3 A\ V pV2 V J1 E1